RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
42
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
13.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
3285
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link