RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
42
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
29
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
3285
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link