Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Puntuación global
star star star star star
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 48
    En -66% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    17.4 left arrow 8.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.8 left arrow 5.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    48 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    8.9 left arrow 17.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    5.9 left arrow 12.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1420 left arrow 3113
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones