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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
34
En 44% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
18.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
34
Velocidad de lectura, GB/s
18.1
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.9
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3040
3343
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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