RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
44
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
42
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
7.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
12800
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2082
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB RAM-Vergleiche
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link