RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
44
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
42
44
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2082
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link