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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
42
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
12.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2417
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
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Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
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