RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
28
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
12.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
2417
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link