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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
5.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
42
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
8.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
5.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
1967
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
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