RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.7
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.0
5.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
42
Около -14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
37
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
8.8
Скорость записи, Гб/сек
6.0
5.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
1967
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link