RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
9.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2427
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link