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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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更快的读取速度,GB/s
13.3
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
42
读取速度,GB/s
9.7
13.3
写入速度,GB/s
6.0
9.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2427
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
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Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
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