RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
49
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
10.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
8.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2504
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link