RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
49
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
49
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
10.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2504
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link