RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
42
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
10.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2346
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link