RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
42
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
11.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2812
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link