RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
42
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
11.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2763
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-YH0 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link