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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
42
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
34
读取速度,GB/s
9.7
15.4
写入速度,GB/s
6.0
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2763
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
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