RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
44
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
9.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2727
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link