RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
44
Около 5% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.7
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
44
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
11.7
Скорость записи, Гб/сек
6.0
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2727
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link