RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
41
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
9.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2226
2238
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link