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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
29
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
9.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
2443
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CAS Latency (CL) *
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