RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
29
En 21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
2443
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link