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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Gesamtnote
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
77
Rund um 64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
77
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2226
1809
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-004.C00G 16GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
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