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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
总分
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
77
读取速度,GB/s
12.8
15.5
写入速度,GB/s
8.4
8.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2226
1809
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
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G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
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