RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
42
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
14.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2930
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link