RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
42
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
3011
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link