RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
42
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.3
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
15.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
3525
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link