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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
42
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2399
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
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