RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
42
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
9.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2510
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link