RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
42
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2866
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-445.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link