RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
42
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
3437
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5471-058.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link