RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
75
Rund um 44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
75
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
1548
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD24G8002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link