RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
42
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2620
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link