RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
42
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.7
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
15.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
3404
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link