RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
52
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2306
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link