RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
59
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2025
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link