RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
42
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
9.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2340
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link