RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
48
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2453
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link