RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
42
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2558
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link