RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
42
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
9.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2386
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link