RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
71
Rund um -122% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
10.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2949
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link