RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
11
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
71
Rund um -154% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.1
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
6.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
1775
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link