RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
71
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
11.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2824
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A01LF 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link