RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
71
Rund um -209% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
11.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2495
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link