RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
71
Rund um -154% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
15.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
3609
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link