RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
71
Rund um -173% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.8
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
16.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
3937
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link