RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
62
71
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
9.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2138
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link