RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston XF875V-MIH 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Kingston XF875V-MIH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston XF875V-MIH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
71
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
12.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2785
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston XF875V-MIH 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link