RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
71
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
12.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2352
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link