RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
71
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
12.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2352
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link